أعلن علماء صينيون عن نجاحهم في تطوير أسرع ذاكرة فلاش في العالم حتى الآن، بسرعة كتابة تصل إلى 400 بيكو ثانية فقط.
وأوضح الفريق البحثي من جامعة فودان بمدينة شنغهاي, أن ابتكارهم حقق نقلة نوعية قد تغير مستقبل تقنيات تخزين البيانات في الأجهزة الذكية والحواسيب.
يذكر أن فالبيكو ثانية Picosecond هي وحدة زمنية تعادل جزءًا من تريليون جزء من الثانية، وهو ما يجعل هذه الذاكرة الجديدة أسرع بحوالي 250 مليون مرة من الوقت اللازم لطرفة العين التي تستغرق حوالي 0.1 ثانية.
وأطلق العلماء على هذه الذاكرة الجديدة اسم PoX، وهي ذاكرة غير متطايرة Non-volatile، أي أنها تحتفظ بالبيانات حتى في حالة انقطاع التيار الكهربائي عنها. وعلى عكس ذاكرة الفلاش التقليدية المستخدمة حاليًا في الهواتف وأقراص التخزين ووحدات الـ USB، والتي قد تستغرق أكثر من ميكرووثانية إلى عدة ملي ثانية لإتمام عملية كتابة البيانات، فإن ذاكرة «PoX» قادرة على تنفيذ هذه العملية بشكل شبه فوري.
وقد تمكن الباحثون من تحقيق هذا الإنجاز عن طريق استخدام مادة الجرافين ثنائي الأبعاد Dirac Graphene بدلًا من السيليكون التقليدي، مستفيدين من خاصية مميزة لهذه المادة تسمى "الحقن الفائق ثنائي الأبعاد"، والتي تسمح للشحنات الكهربائية بالتحرك بسرعة فائقة ودون عوائق تقريبًا.